特氟龙膜闪烁晶体阵列
授权
摘要
本实用新型公开了特氟龙膜闪烁晶体阵列，包括闪烁晶体阵列主体，所述闪烁晶体阵列主体上均匀设有晶体，且闪烁晶体阵列主体上包覆有单面特氟龙胶带，所述晶体内设有晶条，且晶条上包覆有特氟龙膜。该特氟龙膜闪烁晶体阵列使用特氟龙膜作为高效率反射层，不需要使用光学胶粘接，不存在反射层开裂问题，同时有效减少晶体材料的浪费，且晶条与晶条中心距能控制在固定尺寸，便于组装加工，使数据读取更加精确，便于闪烁晶体阵列的使用。
基本信息
专利标题 ：
特氟龙膜闪烁晶体阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021852304.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN213091896U
授权日 ：
2021-04-30
发明人 ：
李国铭李俊谕刘冰边建盟张泽森程豪华
申请人 ：
三河晶丽方达科技有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市三河市燕郊开发区迎宾北路创业大厦B235室
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨玉廷
优先权 ：
CN202021852304.8
主分类号 ：
G01T1/202
IPC分类号 ：
G01T1/202 B32B37/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/20
用闪烁探测器
G01T1/202
闪烁体是晶体的
法律状态
2021-04-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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