一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法，涉及闪烁晶体材料技术领域。所述Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，包括以下步骤，S1先将CsCl和HfCl4加入到酸性溶液中搅拌加热，得到前驱体溶液；所述酸性溶液为盐酸溶液；S2将所述前驱体溶液加热，后进行分步骤降温、生长，得到所述Cs2HfCl6闪烁晶体。本发明所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法相较于常规布里奇曼生长方法而言成本低廉无需真空石英坩埚等设备，无需高温、操作简易、原料成本低廉、原料利用率高，且溶液可回收利用。
基本信息
专利标题 ：
一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606570A
申请号 ：
CN202210076428.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱京涛屠洛涔陈溢祺吴朱超周新宇王添随
申请人 ：
科晶瑞思（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市太仓市娄东街道北京东路88号东B-1楼
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏张林
优先权 ：
CN202210076428.9
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B7/08 G01T1/202
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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