包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体，以及...
公开
摘要
本发明提供了一种闪烁晶体，所述闪烁晶体可包括共掺杂有铊和另一种元素的卤化铯。在一个实施例中，所述闪烁晶体可包括CsX:Tl、Me，其中X表示卤素，Me表示掺杂剂，所述掺杂剂选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组，所述闪烁晶体中的选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组的元素的掺杂剂浓度在1×10‑7mol％至0.5mol％范围内。在特定实施例中，所述闪烁晶体可具有碘化铯主体材料、包含铊阳离子的第一掺杂剂和包含阳离子的第二掺杂剂。
基本信息
专利标题 ：
包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体，以及包括闪烁晶体的辐射检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616491A
申请号 ：
CN202080075658.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒙芳彼得·R·门格
申请人 ：
圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京允天律师事务所
代理人 ：
李建航
优先权 ：
CN202080075658.2
主分类号 ：
G01T1/202
IPC分类号 ：
G01T1/202 G01T1/208
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/20
用闪烁探测器
G01T1/202
闪烁体是晶体的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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