一种基于硅基MEMS的射频接收装置
授权
摘要
一种基于硅基MEMS的射频接收装置，包括MEMS滤波器A、MEMS滤波器B、增益可调放大芯片、集成下变频芯片，通过将散装芯片集成为单个封装芯片，并通过TSV贯穿硅通孔及硅腔刻蚀集成于由下至上堆叠排列的四层硅片上，达到提高了电路一致性及产品可靠性、减轻了装配压力的目的，解决了传统射频接收装置采用的金丝键合的电气连接方式容易出现的产品可靠性较低、集成度低、体积质量大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅基MEMS的射频接收装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020657020.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212811679U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
党伟祝大龙刘德喜卢伊伶闫亚东
申请人 ：
北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
申请人地址 ：
北京市丰台区北京市9200信箱74分箱
代理机构 ：
中国航天科技专利中心
代理人 ：
陈鹏
优先权 ：
CN202020657020.7
主分类号 ：
H04B1/28
IPC分类号 ：
H04B1/28
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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