大功率Ka硅基单通道射频芯片
授权
摘要
本实用新型公开了大功率Ka硅基单通道射频芯片，涉及芯片技术领域，包括芯片底座，所述芯片底座的内部开设有引脚槽，且引脚槽的内部连接有连接引脚，所述连接引脚的相对面设置有放置槽，且放置槽的内部设置有射频芯片本体，所述芯片底座的顶部开设有固定槽，且固定槽的下方设置有滑槽，所述固定槽的内部连接有推杆，且推杆与滑槽之间连接有限定块，所述限定块的外部连接有弹簧。本实用新型中，设置有芯片底座、射频芯片本体、推杆以及限定块，通过操作推杆就方便带动限定块进行移动操作，限定块将移动至芯片底座中的滑槽内，这样就方便完成射频芯片本体的拆卸工作，该拆卸机构，使用方便，缩短了射频芯片本体的拆卸时间，具有较高的实用性。
基本信息
专利标题 ：
大功率Ka硅基单通道射频芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123039587.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216250697U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
苏通山
申请人 ：
深圳市中航工控半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道茶光路1089号深圳集成电路设计应用产业园509-1
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123039587.1
主分类号 ：
H01L23/32
IPC分类号 ：
H01L23/32 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/32
用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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