一种具有保护结构的MOSFET芯片及电子产品
授权
摘要
本申请实施例公开了一种具有保护结构的MOSFET芯片，包括，晶圆本体，所述晶圆本体上表面从左到右依次间隔设置有保护层和第一金属层；所述保护层包括第一保护层，第二保护层和第三保护层，所述第二保护层和第三保护层依次设置在所述第一保护层的上方，所述第一金属层上表面低于所述第三保护层上表面；所述MOSFET芯片的侧面设置有第三保护层，所述MOSFET芯片下表面设置有第二金属层，本申请实施例还公开了一种电子产品。本申请实施例可以有效保护MOSFET芯片并降低电阻和增加散热。
基本信息
专利标题 ：
一种具有保护结构的MOSFET芯片及电子产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020829022.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
CN212365949U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
诸舜杰岳瑞芳钟添宾
申请人 ：
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层
代理机构 ：
深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张海燕
优先权 ：
CN202020829022.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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