一种具有保护层LED芯片的制作方法
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摘要
本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱层起到保护作用，减少In析出，变温生长方式还可以提高AlGaN保护层的晶体质量，从而获得较高的电子有效势垒高度，减少了电子泄露。进一步的，相比较现有技术中单层的AlGaN保护层，采用GaN保护层以及AlGaN保护层的复合保护层，可以减少与量子阱层中InGaN材料的晶格失配，进而削弱了极化电场带来的不利影响，提高LED芯片的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有保护层LED芯片的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112993099A
申请号 ：
CN202110178379.5
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-02-09
授权号 ：
CN112993099B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
万志卓祥景史成丹林海程伟
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晓光
优先权 ：
CN202110178379.5
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210209
申请日 : 20210209
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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