具有齐纳二极管的功率元件
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摘要

本实用新型公开一种具有齐纳二极管的功率元件,其包含一基材结构、一绝缘层、一介电层、一晶体管、及多个齐纳二极管。晶体管位于基材结构的晶体管形成区域中。多个齐纳二极管皆位于基材结构的电路元件形成区域中且彼此串联。每个齐纳二极管包含一齐纳二极管掺杂结构及一齐纳二极管金属结构。齐纳二极管掺杂结构形成于绝缘层上、且被介电层覆盖。齐纳二极管掺杂结构包含彼此相接的一P型掺杂区及一N型掺杂区。齐纳二极管金属结构形成于介电层上、且部分地贯穿介电层,以电性连接于齐纳二极管掺杂结构的P型掺杂区及N型掺杂区。本实用新型能借由调整齐纳二极管的数量,从而设计出各种具有不同输出电压的功率元件产品。

基本信息
专利标题 :
具有齐纳二极管的功率元件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020868820.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-21
授权号 :
CN212848404U
授权日 :
2021-03-30
发明人 :
徐信佑
申请人 :
全宇昕科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新北市
代理机构 :
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张羽
优先权 :
CN202020868820.3
主分类号 :
H01L27/06
IPC分类号 :
H01L27/06  H01L21/8249  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2021-03-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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