一种多气源等离子增强CVD系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种多气源等离子增强CVD系统，包括炉管、三温区加热炉膛、射频线圈、第一进气口、第一卷轴、进料仓、传动电机、第二进气口、出气口、蝶阀、第二卷轴、出料仓、分子泵、机械泵、风扇、挡板阀、射频电源、流量柜体、触摸屏操控板、复合真空计和蝶阀控制器；本实用新型是采用超大管径的炉管，在原有基础上能够使用更大面积的铜箔，得到更大面积的石墨烯膜，且增加了独立的低真空和高真空系统，并通过高真空快速的使得超大管径的炉管达到所需真空度，同时通过挡板阀可在无需停止分子泵的情况下，对超大管径的炉管进行低真空和高真空的自由切换，并精准控制其中的工作压力，使得超大管径的炉管内的化学反应能够保持统一、均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种多气源等离子增强CVD系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020940352.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212610895U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
孔令杰李晓丽杜希文
申请人 ：
安徽贝意克智能科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市肥西县桃花工业园拓展区创新大道与繁华大道交叉口工投立恒广场二期A12栋第9层
代理机构 ：
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩立峰
优先权 ：
CN202020940352.6
主分类号 ：
C23C16/54
IPC分类号 ：
C23C16/54 C23C16/505 C23C16/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/54
连续镀覆的专用设备
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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