一种用于提高晶体利用率的保温结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于提高晶体利用率的保温结构,包括外壳和保温组件,通过在内保温罩的外壁用金刚砂钻头钻出一定数量的钻孔,能够破坏内保温罩的外壁致密层,让内保温罩的微量杂质在晶体本体高温提拉过程,能够在后热室以外的区域挥发,能一定数量上减少后热室杂质浓度,以提高晶体本体的可利用率,在外壳的内部设置有外保温罩和内保温罩,外保温罩采用一种氧化锆材料制成的构件,有较好的保温性能,通过设置有保温棉层、保温砂浆层和聚氨酯保温板,使得后热室更稳定,有利于提高晶体本体的质量,操作人员通过利用连接杆和固定螺栓能将上保温盖固定安装在外壳的上端,在连接杆的表面设置有密封圈,能够提高密封效果,防止影响保温效果。
基本信息
专利标题 :
一种用于提高晶体利用率的保温结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020959046.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-29
授权号 :
CN212293835U
授权日 :
2021-01-05
发明人 :
陈基平王魁光陈志辉
申请人 :
福建科彤光电技术有限公司
申请人地址 :
福建省福州市晋安区福光路71号(福兴经济开发区)
代理机构 :
福州盈创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
吴德兰
优先权 :
CN202020959046.7
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B28/10
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-01-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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