一种用于提高原料利用率的坩埚
授权
摘要
本申请提供了一种用于提高原料利用率的坩埚，通过将坩埚体底面的中部区域设计为向所述坩埚体的内部凹陷的结构，进而从坩埚体的外部观察，可以在坩埚体的底部形成一凹陷部，而从坩埚体的内部观察，可以在坩埚体的内部形成一凸起结构；同时，与所述凹陷部的形状相匹配的，在加热底座的上表面设置有凸起部。在晶体生长时，该凸起部可以置于凹陷部中且凸起部的外壁与所述凹陷部的内部相接触，通过对加热底座的加热，将热量传递到坩埚体内部的中心区域，从而实现对位于坩埚体中心区域的碳化硅多晶料加热，减少结晶，提高原料的利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提高原料利用率的坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021257684.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212640658U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
徐南于国建王垚浩徐现刚
申请人 ：
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021257684.0
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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