一种用于提高磁控溅射中靶利用率的装置
授权
摘要
本实用新型创造提供了一种用于提高磁控溅射中靶利用率的装置，包括靶材基座、以及靶材基座上设置的磁力组件，所述靶材基座上设有用于设置磁力组件的装配槽；所述磁力组件包括装配槽底部间隔设置的数个磁芯、以及磁芯上水平设置的背板。本实用新型创造结构简单，成本低，还能在不改造整体设备的情况下，完善平面靶的利用空间，本实用新型创造还提高了平面靶靶材的利用率，完善靶材膜厚均匀性；通过在靶材基座上设置冷却组件，冷却组件可以大大降低装置整体的温度，有利于提高靶材的使用寿命；并且冷却组件还可以很好的支撑住背板，避免背板发生弯折，使背板可以始终稳定的支撑住靶材，进一步提高了靶材的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提高磁控溅射中靶利用率的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920734947.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN210193988U
授权日 ：
2020-03-27
发明人 ：
王士成齐士新李龙杜彦钟学勇
申请人 ：
天津南玻节能玻璃有限公司
申请人地址 ：
天津市武清区新技术产业园区武清开发区泉丰路12号
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟令琨
优先权 ：
CN201920734947.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-03-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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