一种提高磁控溅射靶材利用率的装置
授权
摘要
实用新型提供一种提高磁控溅射靶材利用率的装置。所述提高磁控溅射靶材利用率的装置，包括磁轭以及磁体组；所述磁体组设置于所述磁轭上部，并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体，所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体，并且所述直道区磁体呈水平平行设置，所述环形区磁体包含一组中心磁体和一组外侧磁体，所述环形区磁体与所述直道区磁体的中心磁体和外侧磁体与磁轭共同形成闭合磁回路，并在靶材表面形成磁场。实用新型提供的提高磁控溅射靶材利用率的装置能够有效改善平面阴极靶材环形区域和过渡区域刻蚀速度过快的问题，提升靶材利用率，并且降低磁控溅射镀膜成本。
基本信息
专利标题 ：
一种提高磁控溅射靶材利用率的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921973092.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-14
授权号 ：
CN211814635U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
谢斌李明籍伟杰
申请人 ：
谢斌
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区燕子河路国科军通产业园B楼3层301室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921973092.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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