一种用于真空磁控溅射镀膜靶材的邦定装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于真空磁控溅射镀膜靶材的邦定装置，包括基座，所述基座上设有工作孔，所述基座的上端面上设有四个呈中心对称设置的第一滑动槽，四个所述第一滑动槽内均滑动连接有第一滑动块，四个所述第一滑动块远离第一滑动槽的一端均设有升降槽，四个所述升降槽内均滑动连接有磁柱，四个所述磁柱远离基座的一端均固定连接有固定板，四个所述磁柱远离固定板的一侧壁上均固定连接有弹簧，四个所述弹簧远离磁柱的一端分别固定连接在四个升降槽的内壁上设置。本实用新型可以方便的完成不同大小靶材的固定工作，极大的方便了用户进行溅射镀膜工作。
基本信息
专利标题 ：
一种用于真空磁控溅射镀膜靶材的邦定装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021118615.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN212955320U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
丁永灼
申请人 ：
河北惟新科技有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市裕华区高新区长江大道238号宏昌科技园7号楼一层102、106室
代理机构 ：
苏州铭恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴月琴
优先权 ：
CN202021118615.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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