晶粒分选吸嘴
授权
摘要
本申请公开了一种晶粒分选吸嘴，涉及集成电路芯片处理技术领域，包括：吸嘴头和连接杆，吸嘴头包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置，吸嘴头还包括第一通孔，第一通孔贯穿至少部分第一表面，第一表面的中心位于第一通孔的中轴线上，吸嘴头的内部设置有中空部，中空部与第一通孔连通，第二表面上设置有凸台，凸台的形状与晶粒的形状一一对应，且凸台用于吸取晶粒，凸台上还设置有第二通孔，第二通孔与中空部连通，连接杆固定在吸嘴头的第一表面，连接杆内部设置有第三通孔，第三通孔与第一通孔连通。本申请采用第二通孔具有真空吸附力的形式，进行晶粒的挑选，凸台的受力面积大较大，具有稳定的吸附力。
基本信息
专利标题 ：
晶粒分选吸嘴
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020973566.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN211788957U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
郭祖福
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区
代理机构 ：
北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
于淼
优先权 ：
CN202020973566.3
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 B07C5/36
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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