气浮式吸取装置
授权
摘要
本实用新型提供一种气浮式吸取装置，包括本体、整流件、吸取台座以及多个吸取件。本体内部形成有第一气道、第二气道以及容置槽，其中第一气道通过容置槽连通于外部；整流件配置于容置槽内，且容置槽的形状对应于整流件；吸取台座连接于本体且具有多个导引部，这些导引部配置于吸取台座的外周缘上，且本体以及整流件穿设于吸取台座；吸取件连接于本体且相对于吸取台座对称配置，这些吸取件形成有吸嘴，且各个吸嘴连通于第二气道。
基本信息
专利标题 ：
气浮式吸取装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021043171.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN211929463U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
郭永聪
申请人 ：
上利新科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
南霆
优先权 ：
CN202021043171.X
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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