一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构
授权
摘要
本实用新型公开一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，包括底板、上桥臂、下桥臂、连桥、铝线，底板中部垂直交叉均匀设有多个焊接区域，上桥臂包括同侧设立的第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中上部的第六覆铜陶瓷基板且信号端外露，下桥臂包括设于另一侧的第二覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中下部的第五覆铜陶瓷基板且信号端外露，第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板与第四覆铜陶瓷基板呈田字形均匀设于焊接区域上；每个覆铜陶瓷基板上均设有芯片焊接区和多个栅极电阻。本实用新型设计实现大功率模块，结构对称，触发路径一致，减少震荡和客户端故障率，实现均流且散热好。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021151093.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN212485324U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
谌容
申请人 ：
南京晟芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区高湖路105号3楼
代理机构 ：
南京常青藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
史慧敏
优先权 ：
CN202021151093.5
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
