带状线谐振器结构及由谐振器结构组成的磁调谐陷波器
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摘要
本实用新型公开了一种带状线谐振器结构及由该谐振器结构组成的磁调谐陷波器，属于电子元器件技术领域；所述带状线谐振器结构由带状线中心导体、带状线外导体，钆镓石榴石晶体和YIG单晶薄膜组成，其中，所述带状线中心导体、YIG单晶薄膜和钆镓石榴石晶体在所述带状线外导体内依次排列；本实用新型实现了磁调谐陷波器的谐振器平面化，简化了带状线谐振电路结构设计；采用带状线传输模式，扩展了磁调谐陷波器的通带工作频率；在同一平面可排布多个带状线谐振电路，易于多通道陷波器的集成；谐振电路采用多个单晶薄膜块构成谐振器级联，有效抑制单晶薄膜的多个激励模式，增加陷波器阻带深度，提高陷波器性能。
基本信息
专利标题 ：
带状线谐振器结构及由谐振器结构组成的磁调谐陷波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021178074.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
CN212011220U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
燕志刚王大勇陈运茂张平川何志强李俊荣建海
申请人 ：
中国电子科技集团公司第九研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市滨河北路西段268号
代理机构 ：
绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎仲
优先权 ：
CN202021178074.1
主分类号 ：
H01P7/08
IPC分类号 ：
H01P7/08 H01P1/208
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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