一种利于中压变频器用IGBT散热的导热结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种利于中压变频器用IGBT散热的导热结构，包括导热翅片和导热翅片底座和冷却介质流动管；所述导热翅片位于导热翅片底座的一面，所述冷却介质流动管设置在导热翅片底座上，即采用内置外循环冷却介质流动管，切实有效的对IGBT散热；且本实施例中采取泵驱动强制冷却介质流动，强化导热；流动管在IGBT正下方，导热距离短，导热效果好；导热翅片底座在上，翅片在下，利于IGBT放置和整体散热结构设计，保证空间利用最大化；导热翅片底座与IGBT底座贴合部位经过抛光打磨，粗糙度小于0.2，有益于热传导，从而切实有效地对IGBT散热，保证系统的平稳运转，同时又不影响密闭防水的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种利于中压变频器用IGBT散热的导热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021246936.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212161803U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
刘春明周汉涛顾金鑫
申请人 ：
江苏硕阳电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市镇江新区丁卯南纬四路36号
代理机构 ：
南京创略知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吕娟
优先权 ：
CN202021246936.X
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/367 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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