超大基板补晶设备
授权
摘要
本申请提供了一种超大基板补晶设备，包括机台，其顶面上设有点胶工位、填晶工位和供晶工位，点胶工位和供晶工位相接于填晶工位的两侧；输送平台，设于机台的顶面上，并贯穿点胶工位和填晶工位，用于运送超大基板；点胶机构，设于点胶工位处，用于在超大基板的缺晶位置补胶；填晶机构，设于填晶工位处，用于抓取晶片和将晶片填补在超大基板的缺晶位置上；以及供晶机构，设于供晶工位处，用于存放晶圆和将晶片运送到填晶工位处。本申请提供的超大基板补晶设备采用了机台将输送平台、点胶机构、填晶机构和供晶机构紧凑地串联在一起，使得结构更加紧凑，通过输送平台、点胶机构、填晶机构和供晶机构相互配合来精确地完成补晶任务，使得补晶效率更高。
基本信息
专利标题 ：
超大基板补晶设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021340855.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-09
授权号 ：
CN212182280U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
胡新荣
申请人 ：
深圳新益昌科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道和平路锐明工业园C8栋
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
周伟锋
优先权 ：
CN202021340855.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L33/48 B05C5/02 B05C13/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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