一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器
授权
摘要
本实用新型涉及紫外线探测器技术领域，提出了一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器，包括衬底、依次设置于衬底上的AlGaN/AlN超晶格层、i型Alx1Ga1‑x1N本征层及异质结pin结构层，衬底与AlGaN/AlN超晶格层之间设置有石墨烯模板散热层，异质结pin结构层两侧及其顶部分别设置有n型电极和p型电极，石墨烯模板散热层的厚度为10nm‑150nm，该探测器有效提高了探测器的散热效率及光电转换效率，防止探测器各层材料之间的分层及破坏，同时降低探测器的制作难度。
基本信息
专利标题 ：
一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021383921.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212161838U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
赵岩申硕尤立鹏李晓波李婷婷
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘陶铭
优先权 ：
CN202021383921.8
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/0224 H01L31/024 H01L31/0304
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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