一种低氯高纯二氧化锗制备系统
授权
摘要

本实用新型公开了一种低氯高纯二氧化锗制备系统,包括壳体,所述壳体的内壁固定连接有横板,所述壳体顶部的右侧固定连通有进料管,所述壳体的顶部固定连接有第一电机,所述第一电机转轴的底部贯穿至壳体的内腔并固定连接有转杆,所述转杆的表面固定连接有搅拌板,所述壳体顶部的左侧固定连接有双氧水箱,所述壳体顶部的右侧固定连接有氨水箱,所述双氧水箱和氨水箱的顶部均固定连通有加液管,所述双氧水箱左侧的底部和氨水箱右侧的底部均固定连通有弯管。本实用新型解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高,流程复杂,对环境与操作人员不友好,工艺周期长,得到的二氧化锗纯度低,白度低,含有大量氯离子的问题。

基本信息
专利标题 :
一种低氯高纯二氧化锗制备系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021389300.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-15
授权号 :
CN213037423U
授权日 :
2021-04-23
发明人 :
唐安泰李建平
申请人 :
昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请人地址 :
云南省昆明市安宁市温泉镇白塔村
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021389300.0
主分类号 :
C01G17/02
IPC分类号 :
C01G17/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G17/00
锗的化合物
C01G17/02
二氧化锗
法律状态
2021-04-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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