一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构
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摘要

本实用新型涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构,该结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接,圆环钼板包括至少两层圆形钼片;圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔,整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定;坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环,上半部圆环外径大于下半部圆环外径,上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同,同心圆内孔直径从上到下先变小在变大;每层钼片内径尺寸也不相同,坩埚盖的最下层钨板为圆形;每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔,通过钼螺栓、钼丝穿接固定。本实用新型由钼丝以及间隔钼片的钼螺母穿接固定,形成头尾片可灵活拆卸结构,可以有效减小放肩阶段生长界面的底部圆锥角度,降低大尺寸晶体肩部缺陷,提高晶体晶体良率。

基本信息
专利标题 :
一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021451484.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-22
授权号 :
CN212505157U
授权日 :
2021-02-09
发明人 :
左洪波杨鑫宏李铁马宗羽
申请人 :
哈尔滨秋硕半导体科技有限公司
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街357号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021451484.9
主分类号 :
C30B29/20
IPC分类号 :
C30B29/20  C30B17/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/20
铝的氧化物
法律状态
2021-02-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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