一种具有表面凹凸结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器
授权
摘要

本实用新型提供了一种具有表面凹凸结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器,包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极,陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形;陶瓷介质瓷体正反面对应于一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽,电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层;凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起,该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接。与现有技术相比,电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层,周边高防止边缘击穿,溅射掩膜可以使芯片两端电极正对,达到最大的电极正对面积,从而获得最大的电容量,电极的正对也使电场达到最均匀状态能有效的解决电极不对称造成的产品耐压不良等问题。

基本信息
专利标题 :
一种具有表面凹凸结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021492015.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-24
授权号 :
CN212625195U
授权日 :
2021-02-26
发明人 :
蒋小明姚飞马永香韩阿敏
申请人 :
陕西华星电子开发有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段10号-3
代理机构 :
西安泛想力专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
石琳丹
优先权 :
CN202021492015.1
主分类号 :
H01G4/12
IPC分类号 :
H01G4/12  H01G4/012  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2021-02-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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