一种含强电容耦合结构的多层宽带滤波器
授权
摘要
本实用新型实施例提供一种含强电容耦合结构的多层宽带滤波器，在相互耦合的第一谐振单元和第二谐振单元中，所述第一谐振单元上设有伸向所述第二谐振单元的延伸结构，所述延伸结构与所述第一谐振单元短接，所述延伸结构与所述第二谐振单元开路连接，且所述延伸结构与所述第二谐振单元的次高层部分重叠或全部重叠，通过合适地引入并联电容结构增强滤波器两个谐振单元之间的耦合，可以实现宽带滤波器设计，在同一带宽(耦合)条件下，可以通过增大间距，降低尺寸敏感度，降低工艺实现难度，提高成品率，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种含强电容耦合结构的多层宽带滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021518955.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN213071301U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
许建军王文珠
申请人 ：
武汉凡谷电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市江夏区光谷大道藏龙岛九凤街5号凡谷电子工业园4号楼2楼
代理机构 ：
武汉开元知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄行军
优先权 ：
CN202021518955.3
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20 H01P7/00
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法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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