一种预加工碳化硅基晶圆结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种可改善正面崩边的预加工碳化硅基晶圆结构，包括碳化硅衬底、设于所述碳化硅衬底正面的功能层和设于所述碳化硅衬底背面的背金层，所述功能层包括若干器件区，相邻器件区之间设有切割道，所述碳化硅衬底对应所述切割道设有改质区，所述碳化硅衬底的正面对应所述切割道设有表层切割槽。通过表层切割槽的设置，在后续裂片中晶圆芯片被劈刀下压产生形变，在劈刀上抬后芯片克服应力恢复形变中不会因为两个芯片切割道边缘相互碰撞产生崩边。
基本信息
专利标题 ：
一种预加工碳化硅基晶圆结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021531676.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN212991043U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
陈为彬林科闯陶永洪史春林程江涛
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202021531676.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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