一种电子束退火设备
授权
摘要
本实用新型提出一种电子束退火设备，包括：电子束产生腔体；工艺腔体，所述电子束产生腔体位于所述工艺腔体上，所述电子束产生腔体和所述工艺腔体通过隔板分开，所述工艺腔体内设置一载台，所述载台用于放置基板；加热单元，设置在所述载台上，用于为所述基板加热；其中，所述电子束产生腔体包括：至少两个电子枪，所述电子枪用于发射电子束；至少两个加速管，所述加速管用于加速所述电子束；功率调节单元，连接所述至少两个电子枪，以使所述至少两个电子枪的功率相同或不同，以使所述至少两个电子枪发射的电子束的能量相同或不同。本实用新型提出一种电子束退火设备可以将基板上的非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种电子束退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021564731.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN212848318U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
凌步军朱鹏程袁明峰吕金鹏赵有伟滕宇孙月飞冷志斌冯高俊
申请人 ：
江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区12幢401-73
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
林凡燕
优先权 ：
CN202021564731.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
