高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片，所述的折射率传感芯片分为四层结构，第一层为底层的透明介质基底，第二层为金属薄膜层，第三层介质光栅层，第四层为高折射率介质光栅层；其中，介质光栅层和高折射率介质光栅层为周期性光栅阵列，光栅周期同为p，光栅占空比同为q，厚度分别为t1和t2，其中t1
基本信息
专利标题 ：
高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021604380.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
CN212845016U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
何赛灵刘振超郭庭彪
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林松海
优先权 ：
CN202021604380.7
主分类号 ：
G01N21/41
IPC分类号 ：
G01N21/41 G01N21/552
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/41
折射率；影响相位的性质，例如光程长度
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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