双阴极沉积装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种双阴极沉积装置，包括传输组件、设置于传输组件下方的溅射机构及蒸镀机构，所述传输组件的一侧设置有用于驱动所述传输组件转动的驱动机构，所述驱动机构工作，带动置于所述传输组件上的基片在蒸镀机构和溅射机构之间进行传输。本实用新型的有益效果体现在：本实用新型结合了热蒸镀与磁控溅射两种膜层沉积方法，设计出一种双阴极的OLED器件结构，大大提高了产量，同时，在降低成本的情况下还能满足大面积制备OLED器件的要求。
基本信息
专利标题 ：
双阴极沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021642809.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-10
授权号 ：
CN213142165U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
顾婉莹张敬娣武启飞冯敏强廖良生
申请人 ：
苏州方昇光电股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街218号A4楼102室
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
蒋慧妮
优先权 ：
CN202021642809.1
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/26 C23C14/30 C23C14/34 H01L51/56
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213142165U.PDF
PDF下载
