具有高吸附性的晶片加热用吸附式治具
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摘要

一种具有高吸附性的晶片加热用吸附式治具,包含包括形成有容置槽的座顶面与座底面的底座、设置于所述底座并包括盖顶面与盖底面的顶盖,及设置于所述底座与所述顶盖之间的弹性垫。所述座顶面具有形成有数个延伸至所述座底面并与所述容置槽连通的第一穿孔的槽底面部。所述顶盖形成有数个第二穿孔。所述弹性垫包括位于所述容置槽内的垫部,及数个设置于所述垫部的吸附部,所述垫部具有垫顶面及垫底面,所述吸附部从所述垫顶面朝上延伸并分别穿出所述第二穿孔,每一吸附部具有高于所述盖顶面的吸附顶端,所述弹性垫形成有数个从所述吸附部的吸附顶端延伸至所述垫底面的连通孔,所述连通孔分别对应于且连通于所述第一穿孔。

基本信息
专利标题 :
具有高吸附性的晶片加热用吸附式治具
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021675701.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-12
授权号 :
CN212848345U
授权日 :
2021-03-30
发明人 :
赖奕诚赖奕儒
申请人 :
宸榤精机股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾苗栗县
代理机构 :
北京泰吉知识产权代理有限公司
代理人 :
史瞳
优先权 :
CN202021675701.2
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-03-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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