多电子束聚焦装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种多电子束聚焦装置，该系统包括用以产生电子束的热或冷场发射阴极电子源和栅极、电子束分束的分束器、提高电子束能量的加速透镜、提高电子束质量的消相差透镜、对各电子束束斑的高分辨物镜阵列、对电子束位置进行微调的电子束偏转器以及控制电子束通过的束闸，以便于对电子束的精准控制，因此在相同面积的圆晶上可以容纳数量更多的电子束实现同时曝光，提高了集成电路加工应用中的精度和速度。
基本信息
专利标题 ：
多电子束聚焦装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021684033.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212648184U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
尹华碧
申请人 ：
深圳市奥谱太赫兹技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区金牛西路16号华瀚科技工业园2号厂房
代理机构 ：
广东良马律师事务所
代理人 ：
李良
优先权 ：
CN202021684033.X
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01J37/30 H01J37/21
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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