一种用于大功率半导体器件的冷却装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于大功率半导体器件的冷却装置，本实用新型涉及冷却装置技术领域，一种用于大功率半导体器件的冷却装置，包括冷却管，冷却管内部固定有若干个呈均匀分布的导热环，导热环内均固定有空心球，空心球表面开有若干个通孔，通孔延伸至空心球内部；冷却管上方设有风管，风管上侧熔接有若干个与其相通的喷风头，且风管右端为封闭端，风管左端固定有与其相通的进风管；本实用新型的有益效果在于：冷却管内的水可充分吸收大功率半导体器件上的热量，达到水吸热最大化，可同时利用风对大功率半导体器件进行散热和冷却管内的水对大功率半导体器件进行降温，使得大功率半导体器件降温效果更佳。
基本信息
专利标题 ：
一种用于大功率半导体器件的冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021712433.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN212991084U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
苏州融思达电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金陵东路266号1幢五层西区编号L-2
代理机构 ：
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李倩倩
优先权 ：
CN202021712433.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/467 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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