MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器
授权
摘要
本实用新型提供一种MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器，其应用于容置固体金属有机化合物，所述固体金属有机化合物为二茂镁，其包含瓶体、进气接口及出气管。瓶体内部具有容置空间，以容置固体金属有机化合物。进气接口设置于瓶体的顶部以连通容置空间，且进气接口连接进气管；进气管连接载气源。出气管的一端由瓶体的顶部穿入容置空间中，且出气管的一端邻近于容置空间的底部，出气管的另一端连接金属有机化学气相沉积制程设备。其中，瓶体的内径与容置空间的高度具有特定的比值。本实用新型通过上述结构配置，可在提高稳定蒸气气压的同时，提高固体金属有机化合物的使用效率，并减少固体金属有机化合物剩余的浪费。
基本信息
专利标题 ：
MOCVD固态掺杂金属有机化合物的封装容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021734842.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN213680876U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
吕宝源
申请人 ：
吕宝源
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区青石街40号606室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈延侨
优先权 ：
CN202021734842.7
主分类号 ：
C23C16/18
IPC分类号 ：
C23C16/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
C23C16/18
自有机金属化合物
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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