一种硅片顶升机构
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片顶升机构,包括承托组件、顶齿安装块和若干顶齿组件，所述顶齿安装块安装于承托组件上侧，所述顶齿组件平行设置，所述顶齿组件包括平行设置的顶齿和梳齿，所述顶齿安装块上固设有若干插槽，所述插槽内至少安装一组顶齿和一组梳齿，所述顶齿和梳齿之间设置有用于放置硅片的间隙，所述顶齿和梳齿顶部固设有用于放置硅片的缺口,本实用新型采用螺钉对顶齿组件进行锁紧，不仅可以精准定位顶齿和梳齿的位置，且相邻顶齿和梳齿位置之间不受影响，当其中一个顶齿损坏时，将螺钉旋松，进而打开锁紧装置，将顶齿或梳齿从插槽中抽出进行更换，提高了更换的效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片顶升机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021861931.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN213184218U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
沈晓琪姚正辉
申请人 ：
无锡小强半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202021861931.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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