半导体制冷雾化系统
授权
摘要

本实用新型涉及一种半导体制冷雾化系统,包括雾化室,在所述的雾化室两侧设置制冷半导体,在所述的雾化室外部导热区域中心位置设置热敏电阻,该系统还包括一控制端,在所述的控制端内设置控制电路以及调整电路,所述的控制电路对制冷半导体的工作进行控制,所述的调整电路接收热敏电阻的信号进行处理后反馈至控制电路内,控制电路调整制冷半导体的工作状态。通过上述系统,使用制冷半导体进行制冷,并通过热敏电阻检测内部温度并通过调整电路反馈至控制电路,而控制电路调整制冷半导体的工作状态,实现了快速稳定到目标温度且稳定性高,同时使得雾化室内温度均匀,电源利用率提高。

基本信息
专利标题 :
半导体制冷雾化系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021893388.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-02
授权号 :
CN212902088U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
袁辉李正建王平杰李胜辉
申请人 :
江苏天瑞仪器股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市昆山市中华园西路1888号
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨林洁
优先权 :
CN202021893388.X
主分类号 :
F25B21/02
IPC分类号 :
F25B21/02  F25B49/00  
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F25
制冷或冷却;加热和制冷的联合系统;热泵系统;冰的制造或储存;气体的液化或固化
F25B
制冷机,制冷设备或系统;加热和制冷的联合系统;热泵系统
F25B
制冷机,制冷设备或系统;加热和制冷的联合系统;热泵系统
F25B21/00
应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统
F25B21/02
应用珀耳贴效应;应用能斯特—厄廷豪森效应
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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