一种高密度框架结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种高密度框架结构，包括：密积排列设置于框架本体上的型腔，所述型腔的两面分别为毛刺面和电镀面，所述毛刺面和电镀面相背设置；每个所述型腔内是互为连通的注料空间；所述框架本体上设有与所述型腔相连通的的料柄注入口；所述型腔上的电镀面纵向尺寸为1.3‑1.6mm；所述型腔上的电镀面横向尺寸为2.53‑2.95mm；所述框架本体厚度为0.11mm，其中，误差值为0.01mm。一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种高密度框架结构，增加了芯片产能，还能适用于其他芯片的封装，当某种芯片的需求量增加时，由于模具和框架可以通用，可以再次提高产能，使芯片供应不会出现断货的情况。
基本信息
专利标题 ：
一种高密度框架结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021898814.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-02
授权号 ：
CN212848386U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
解维虎林河北梁伟泉葛立志谭丽娟
申请人 ：
深圳市金誉半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层，17栋1-3层）
代理机构 ：
深圳市智胜联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
齐文剑
优先权 ：
CN202021898814.9
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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