一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED
授权
摘要
本实用新型提供一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、非对称单向注入电子阻挡层、p型电导层和金属电极层；n型接触层接引有第一电极；金属电极层接引有第二电极。该具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，在p型电导层与有源层之间，插入非对称单向注入电子阻挡层，非对称单向注入电子阻挡层对电子具有高势垒阻挡作用，而对空穴为低势垒或无势垒，可实现单向空穴注入。该深紫外LED具有非对称的能带带阶，在导带底具有高带阶，在价带顶具有低带阶，形成非对称能带结构，使空穴无带阶阻挡，而电子受高带阶阻挡，可有效提高深紫外LED的电注入效率和光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021907743.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-03
授权号 ：
CN212542465U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
蔡端俊黄生荣
申请人 ：
厦门瑶光半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区创业园创业大厦北618A室
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨泽奇
优先权 ：
CN202021907743.4
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/04
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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