具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法

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摘要

一种形成半导体器件的方法包括：接收具有衬底、位于衬底上方的栅极沟槽以及位于衬底上方并围绕栅极沟槽的介电层的结构。该方法还包括在栅极沟槽中形成栅极介电层、在栅极沟槽中并且在栅极介电层上方形成阻挡层以及处理阻挡层以使阻挡层的外表面粗糙，得到处理的阻挡层。该方法还包括在处理的阻挡层上方形成n型功函金属层。本发明实施例涉及具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法。

基本信息

专利标题：

具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109427873A

申请号：

CN201711350056.X

公开（公告）日：

2019-03-05

申请日：

2017-12-15

授权号：

CN109427873B

授权日：

2022-06-10

发明人：

陈彦廷许嘉麟

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201711350056.X

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/28

法律状态

2022-06-10 ：

授权

2019-03-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20171215

2019-03-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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