具有N型电子阻挡层的LED外延结构和LED器件
授权
摘要
本实用新型提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构和LED器件，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层。所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合N型电子阻挡层和第二N型半导体层。其中所述复合N型电子阻挡层依次包括金属化的粗化层、在所述粗化层表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层、在所述停顿退火层上的具有凹凸曲面结构的超晶格层。本实用新型通过形成具有凹凸精细结构的N型电子阻挡层，来提升电子载流子的横向扩展能力，提升LED发光效率。
基本信息
专利标题 ：
具有N型电子阻挡层的LED外延结构和LED器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020712650.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN211700321U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
聚灿光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区月亮湾路15号中新大厦32楼01-05室
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN202020712650.X
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/04 H01L33/06 H01L33/10 H01L33/20 H01L33/24 H01L33/00
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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