一种具有高逆向崩塌电压的外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有高逆向崩塌电压的外延结构，包括衬底、缓冲层、第一半导体层、超晶格层、有源层、第二半导体层和第一插入层；所述第一半导体层包括高温N‑GaN层和低温N‑GaN层，所述高温N‑GaN层的形成温度高于所述低温N‑GaN层的形成温度；所述第一插入层设置在低温N‑GaN层和高温N‑GaN层之间，所述第一插入层由AlGaN制成。本实用新型在高温N‑GaN层和低温N‑GaN层之间设置第一插入层，以减少第一半导体层内的晶格缺陷，强化第一半导体层的逆向崩溃电流散布，提高外延结构的逆向崩溃电压。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高逆向崩塌电压的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020236138.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-02
授权号 ：
CN211555925U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN202020236138.2
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/04 H01L33/00
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
