一种具有波导应变的外延结构、LED芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有波导应变的外延结构、LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123222776.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216624313U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
林志伟崔恒平蔡玉梅陈凯轩蔡海防
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123222776.2
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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