一种四元系张应变半导体激光外延片
授权
摘要
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种四元系张应变半导体激光外延片，其不同之处在于：其由下至上依次包括衬底、缓冲层、光栅层、InP盖层、覆盖层、隔离层、下限制层、下渐变波导层、多量子阱层、上渐变波导层、上限制层、上包层、上渐变层和接触层，所述光栅层和InP盖层上制备有N面光栅图形。本发明制备的激光外延片提高了载流子的输运速度和半导体激光器的光增益及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种四元系张应变半导体激光外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020636232.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN212659825U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
罗帅季海铭徐鹏飞王岩赵春龙徐智鹏
申请人 ：
江苏华兴激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧
代理机构 ：
武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓寅杰
优先权 ：
CN202020636232.7
主分类号 ：
H01S5/026
IPC分类号 ：
H01S5/026 H01S5/028 H01S5/34
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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