一种新型基片集成波导滤波器金属化侧壁
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型基片集成波导滤波器金属化侧壁，其包括金属侧壁,该金属侧壁呈矩形，同时该金属侧壁包括一层介质基片，该介质基片采用陶瓷材料制成，此外在介质基片上开设有矩形通槽，该矩形通槽的加工是应用高精度激光打孔设备实现的，另外在介质基片的上表面还设置有一层金属，该金属层呈矩形且该金属化过程利用溅射工艺完成。本实用新型结构简单，使用方便，采用矩形结构取代现有圆形结构利于仿真软件对物体表面的拟合，通过便于拟合的形状提高仿真效率，另外本实用新型所采用的矩形结构不但仿真效率高，其同时解决了拟合精度的问题，使得计算机仿真结果与加工出的产品间频率漂移小，精度高。
基本信息
专利标题 ：
一种新型基片集成波导滤波器金属化侧壁
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021979777.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN213278341U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
王司亮
申请人 ：
四川欣科奥电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市成华区龙潭工业园成宏路26号汇润国际11楼
代理机构 ：
成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李汉强
优先权 ：
CN202021979777.4
主分类号 ：
H01P1/207
IPC分类号 ：
H01P1/207 H01P1/20
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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