半导体存储器

授权

摘要

本申请实施例涉及一种半导体存储器，包括：多个存储阵列；至少一个校验模块，每个校验模块均与多个存储阵列相对应，校验模块用于校验对应的存储阵列的数据信息是否发生错误，每个校验模块均连接有一组全局数据总线；多个选通电路，选通电路分别与存储阵列和全局数据总线连接，选通电路用于控制连接的全局数据总线和存储阵列之间的数据传输路径的通断。本申请实施例的校验模块只需对实时进行读取的校验模块的数据信息进行校验，因此，本申请实施例的半导体存储器可以在采用较少数量的校验模块的情况下，确保每次数据信息的读取都进行了有效校验，从而提供了一种校验模块占据空间较小的半导体存储器。

基本信息

专利标题：

半导体存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022019711.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-14

授权号：

CN213183603U

授权日：

2021-05-11

发明人：

冀康灵李红文

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

纪婷婧

优先权：

CN202022019711.7

主分类号：

G11C5/02

IPC分类号：

G11C5/02 G11C11/401 G11C29/38