进料装置和镀膜设备
授权
摘要
一种进料装置和镀膜设备。该进料装置适于向反应腔室输入化学单体气体，其中该反应腔室内设有用于放置待镀膜工件的支架，以利用该化学单体气体的聚合在该待镀膜工件的表面形成聚合物膜层。该进料装置包括：至少一第一进料管，其中该至少一第一进料管适于被可连通地设置于该反应腔室的侧壁下部，用于将该化学单体气体从该反应腔室的该侧壁下部输入至该反应腔室的内部；和至少一第二进料管，其中该至少一第二进料管适于被可连通地设置于该反应腔室的侧壁上部，用于将该化学单体气体从该反应腔室的该侧壁上部输入至该反应腔室的内部。
基本信息
专利标题 ：
进料装置和镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022280144.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
CN213680865U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
宗坚陶永奇
申请人 ：
江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山经济开发区玉祁配套区东环路182号
代理机构 ：
宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
罗京
优先权 ：
CN202022280144.0
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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