镀膜设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种镀膜设备，包括真空腔体、离子镀膜源、导电部和保持部；离子镀膜源设于真空腔体内，设置为提供离子化的成膜粒子；导电部设于真空腔体内且与离子镀膜源相对设置，设置为在镀膜过程被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，以吸引成膜粒子朝导电部方向移动；保持部用于承载基材，以将基材置于离子镀膜源和导电部之间，并使基材的待镀膜表面和离子镀膜源相对。本实用新型镀膜设备能够有效沉积镀膜，减少材料浪费。
基本信息
专利标题 ：
镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020430990.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN212199400U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
林育正陈麒麟
申请人 ：
深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区金牛东路62号一层至六层
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张建珍
优先权 ：
CN202020430990.3
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212199400U.PDF
PDF下载
