一种带镀镍结构的IGBT封装结构
授权
摘要

本实用新型公开一种带镀镍结构的IGBT封装结构,包括壳体,所述壳体呈长方体结构,所述壳体包括有壳体盖,所述壳体盖与壳体之间通过设于壳体上部一侧的转轴相连接,所述壳体内部为中空结构,且所述壳体与壳体盖之间形成封装区,所述封装区底部设有芯片连接触点。本实用新型带镀镍结构的IGBT封装结构,通过合理的壳体结构,能够在封装的同时,减少该结构的占用空间,同时,具有较好的密封性以及镀镍层提供的耐腐蚀性,进一步增强产品的耐用性能,减少其损坏几率,降低使用和维护成本。

基本信息
专利标题 :
一种带镀镍结构的IGBT封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022320454.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-19
授权号 :
CN212750864U
授权日 :
2021-03-19
发明人 :
赵清唐斌
申请人 :
常州宝韵电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市新北区龙虎镇小桥头64号
代理机构 :
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈俊杰
优先权 :
CN202022320454.0
主分类号 :
H01L23/04
IPC分类号 :
H01L23/04  H01L23/06  H01L23/10  H01L29/739  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器;封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2021-03-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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