一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构，包括覆铜陶瓷基板、安装在覆铜陶瓷基板上的半导体芯片、与半导体芯片连接的功率电极、控制电极，所述功率电极、控制电极上设置有镀镍层，所述覆铜陶瓷基板底部连接有散热铝板，所述覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、散热铝板外部设置有绝缘封装结构，所述绝缘封装结构底部设置有若干呈锥形结构设置的若干排散热孔，同一排所述散热孔通过横向散热孔连通，可以大大提高散热效率，通过横向散热孔吹入的风容易在锥形散热孔内贴壁旋流，可以提高散热效率，通过横向散热孔将锥形的散热孔连通有利于更进一步的进行通风，进一步的提高散热效率，使用效果更好。
基本信息
专利标题 ：
一种带镀镍结构的IGBT功率模块的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022320459.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
CN212750870U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
赵清唐斌
申请人 ：
常州宝韵电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区龙虎镇小桥头64号
代理机构 ：
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈俊杰
优先权 ：
CN202022320459.3
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/14 H01L23/48 H01L23/367 H01L23/373 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
