一种带镀镍结构的压接式IGBT封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种带镀镍结构的压接式IGBT封装结构，包括顶盖、顶环结构、第一凹槽、集电极引脚、密封圈、中环结构、插槽、栅极引脚、发射极引脚、第二凹槽、底环结构、壳底。有益效果：本实用新型的集电极引脚、栅极引脚和发射极引脚均为镀镍结构件，镀镍结构件极耐磨损，能够有效提高集电极引脚、栅极引脚和发射极引脚的使用寿命；本实用新型的集电极引脚、栅极引脚和发射极引脚均为可拆卸结构件，当集电极引脚、栅极引脚、发射极引脚出现损坏后，可以直接跟换损坏件，从而有效延长了IGBT封装结构的使用寿命，大大降低了使用者的使用成本；本实用新型结构简单，分布合理，使用方便，易推广。
基本信息
专利标题 ：
一种带镀镍结构的压接式IGBT封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022320781.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
CN212750871U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
赵清唐斌
申请人 ：
常州宝韵电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区龙虎镇小桥头64号
代理机构 ：
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈俊杰
优先权 ：
CN202022320781.6
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L29/739 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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