一种半导体无废水排放清洗设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体无废水排放清洗设备,包括壳体,所述壳体内横向固定安装有放置板,所述放置板的左右两端分别固定安装在壳体的内壁上,所述放置板的上方设置有清洗机构,所述放置板的上端面等间距的开设有多个放置槽,每个所述放置槽内均放置有半导体本体,每个所述半导体本体的上表面与放置板的上表面相平齐,所述放置板的中心处开设有排水口,所述排水口的正下方设置有排水漏斗。本实用新型,过滤网兜会对排出的清洗液进行初级的过滤,过滤后的清洗液会落入储水槽内,并经过多个过滤网板的次级过滤后,再次被水泵抽入输水管内从喷头喷出,如此循环,使得清洗液得到充分的循环利用,避免了浪费。
基本信息
专利标题 :
一种半导体无废水排放清洗设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022341208.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-20
授权号 :
CN212907672U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
凡青松
申请人 :
苏州恩斯泰金属科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路1258号4幢
代理机构 :
苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘盼盼
优先权 :
CN202022341208.3
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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